



探針臺-CP測試
實驗室配備先進的探針臺和JUNO DTS1000測試儀器, 可提供功率器件6寸、8寸晶圓研發和量產的產品全面的電性能測試,得到成品率和各個參數maping分布, 失效bin分組和分布情況。有效的輔助芯片開發階段的工藝窗口分析,在海外代工的沒有CP測試的晶圓產品量產階段,可以進行全測和抽測,避免造成晶圓不良品送封的損失。
HR-1680 高溫反偏老化試驗系統
可靠性實驗室依據行業國際標準建立,具有完備的實驗能力,可進行電子產品的可靠性壽命加速試驗??煽啃詼y試測試,在芯片研發階段至關重要,一個設計優良的產品的工藝窗口比較大,在各種工藝參數公差范圍內都可以有較高的可靠性,所以可靠性測試在芯片研發MPW階段,可以作為挑選芯片設計參考測試項。在量產階段也根據不同的質量要求,進行可靠性抽樣檢驗。
檢測項目 | 覆蓋產品 | 檢測能力 | 參考標準 |
? 高溫反偏測試 (HTRB、HTGB) | ? MOSGET TMBS二極管三極管橋堆 | 電 源 :300V/2A 600V/2A 60V/15A; 電 流測試量程;0.1uA至 100mA;溫度范圍: <200℃ | ? 美軍標國標IEC |
分立器件測試系統JUNO DTS-1000
JUNO DTS-1000系統測試機通過與分選機組合,可實現對半導體分立器件成品如晶體管場效應管(MOSFET)和二極管
(Diode)的高速測試與分選,實現成品100%全測,保證成品性能的一致性和穩定性。
TEK370A? 泰克晶體管圖示儀
晶體管特性圖示儀是一種可直接在熒光屏上顯示晶體管特性曲線的專用儀器。它可用來準確測定MOSFET的IGSS、IDSS漏電流(精度可達到1nA)、閾值電壓Vth 等直流參數,及掃描耐壓IV Curve等。還可用來測定Diode瞬態正向壓降VF、漏電流IR等。實現研發產品性能參數的準確, 加快產品研發進程。
B1506A 安捷倫功率器件分析儀
B1506A 功率器件分析儀/曲線追蹤儀是完整的功率電路設計解決方案,可以在不同工作條件下評測所有的功率器件參數。它可以實現在MOSFET的IV參數, C-V Curve、柵極電荷和功率損耗的測量??梢暂^快速并準確的評估MOSFET的直流、交流參數,實現產品參數快速定義。